삼성전자가 인공지능(AI) 반도체 시장의 판도를 바꿀 차세대 메모리 HBM4를 세계 최초로 양산 출하하며 기술 경쟁의 새로운 장을 열었다. 이번 성과는 치열해지는 AI 반도체 경쟁 속에서 삼성의 '초격차' 기술력을 다시 한번 입증한 것으로 평가된다.

 

이번에 양산에 돌입한 HBM4는 업계 표준을 크게 뛰어넘는 초당 11.7Gbps의 데이터 처리 속도를 자랑한다. 이는 기존 HBM3E보다 약 20% 향상된 성능으로, 대규모 AI 모델의 학습 및 추론 과정에서 발생하는 데이터 병목 현상을 획기적으로 개선할 수 있는 수준이다.

 

삼성전자는 제품의 핵심인 베이스 다이에 4나노미터(nm) 최선단 파운드리 공정을 도입하는 기술적 혁신을 이뤄냈다. 이를 통해 기존 세대 제품 대비 에너지 효율을 40% 가까이 끌어올렸으며, 발열 제어 능력 또한 대폭 향상시켜 고객사의 전력 및 냉각 비용 부담을 크게 줄일 수 있게 됐다.

 

용량 면에서도 12단 적층 기술을 기반으로 최대 36GB를 구현했으며, 향후 16단 적층을 통해 48GB까지 확장할 계획이다. 삼성전자는 메모리, 파운드리, 패키징 공정을 모두 자체적으로 수행하는 '원스톱 솔루션'의 강점을 극대화하여 공급 안정성을 높이고 생산 기간을 단축할 방침이다.

 

삼성전자는 여기서 멈추지 않고 올해 하반기 성능을 한층 강화한 'HBM4E' 샘플을 선보이고, 2027년부터는 특정 고객의 요구에 최적화된 '커스텀 HBM' 시장에 본격적으로 진출하며 맞춤형 AI 칩 시대를 선도하겠다는 청사진을 제시했다.

 

이러한 초격차 기술력을 바탕으로 내년 HBM 매출을 지난해보다 3배 이상 늘린다는 목표를 세웠다. 2028년부터는 평택 5라인을 HBM 핵심 생산 기지로 삼아, 자체 칩을 개발하는 글로벌 빅테크 기업들의 폭발적인 수요에 적극 대응해 나갈 계획이다.